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采用0.13微米CMOS工藝制造的單芯片UMTS W-CDMA多頻段收發器(06-100)

—— 采用0.13微米CMOS工藝制造的單芯片UMTS W-CDMA多頻段收發器
作者:Infineon公司R. Koller, T. Ruhlicke, D. Pimingsdorfer, B. Adler 時間:2008-04-03 來源:電子產品世界 收藏

  前言

本文引用地址:http://www.byttm.com.cn/article/81180.htm

  隨著通用移動通信系統()網絡在日本和歐洲實現商用,市場對多頻段寬帶碼分多址()收發器芯片的要求更加苛刻——除了縮小芯片面積和主板占用空間、減少組件數量、降低材料成本外,還要求芯片具備足夠的靈活性,不僅要支持工作頻段I,還要支持其他多個頻段??紤]到的全雙工性質,再加上支持所有頻段要求在面積更小的芯片上集成多個發射和接收通道,如何最大限度降低這些通道之間的串擾,就成為一個非常具有挑戰性的任務。第一顆采用0.13微米工藝制造的單芯片直接轉換收發器于2003年2月面世;第一顆采用0.35微米SiGe Bi工藝制造的單芯片收發器于2004年正式推出。最新發布的直接變換設計包括一個采用0.35微米SiGe Bi工藝制造的適用于WCDMA/HSDPA網絡的三頻段單芯片收發器。

  本文介紹了一種適用于頻分復用(FDD)網絡的低功耗、多頻段、全集成化單芯片UMTS /HSDPA直接轉換型收發器。它采用0.13微米CMOS工藝制造而成。該設計包括三條零中頻接收(RX)通道,三條直接轉換型發射(TX)通道,兩個分數型頻率合成器。它們都由一個多標準編程接口控制。圖1顯示了該芯片的完整框圖。

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關鍵詞: Infineon CMOS UMTS W-CDMA

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